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恩智浦推出首款采用2 mm x 2 mm无引脚封装的低VCEsat双晶体管

 恩智浦半导体近日推出业内首款双晶体管产品,具有低饱和电压特性,采用2 mm x 2 mm DFN(分立式扁平无引脚)封装。15种采用无引脚、薄型DFN2020-6 (SOT1118)封装的全新产品即将上市,它们的集电极电压(VCEO)为30 V、60 V和120 V (PBSS4112PAN)。

这些超小型双晶体管的集电极电流(IC)最大值可达2 A,能够处理高达3 A的峰值电流。同时,它们的效率极高,具有低至60 mV的超低饱和电压 (PBSS4230PANP),使其针对移动应用具有更低的功耗和更长的电池寿命。采用DFN2020-6封装的全新双晶体管非常适合用于负载和电源开关智能手机和平板电脑等便携式应用中的电源管理和充电电路、背光装置以及其他空间受限型应用。恩智浦采用DFN2020封装的所有全新低VCEsat双晶体管产品均符合AEC-Q101汽车标准。

DFN2020-6比标准SO8封装小8倍,具有出色的热功耗能力(Ptot = 1 W)。具有热沉的DFN封装仅0.6mm高,因此可替代SO8或SOT457等许多尺寸较大的晶体管封装。

全新的DFN2020封装类产品丰富了恩智浦的低VCEsat晶体管产品组合,目前已包括36款采用无引脚和标准SMD封装的双晶体管,以及250多种高达500 V和7 A的单晶体管。

链接

· 恩智浦采用DFN2020-6封装的全新低VCEsat双晶体管:http://www.nxp.com/group/10921

· 集电极电压最高的全新产品(PBSS4112PAN,120 V,1 A NPN/NPN):http://www.nxp.com/pip/PBSS4112PAN

· 饱和电压最低的全新产品(PBSS4230PANP,30 V,2 A NPN/PNP,VCEsat:60 mV):http://www.nxp.com/pip/PBSS4230PANP

· DFN2020-6 (SOT1118)封装信息页面:http://www.nxp.com/packages/SOT1118.html